三星正在開發(fā)一種新的芯片封裝技術(shù)，以防止應(yīng)用處理器（AP）過熱。消息人士稱，該封裝在SoC頂部附加一個熱路徑塊（HPB），預(yù)計將用于未來的Exynos芯片。
該技術(shù)的全名是FOWLP（扇出晶圓級封裝）-HPB，由三星芯片部門下的高級封裝（AVP）業(yè)務(wù)部門開發(fā)，計劃第四季度完成開發(fā)，然后開始批量生產(chǎn)。
作為后續(xù)產(chǎn)品，三星團(tuán)隊還在開發(fā)一種可以安裝多個芯片的FOWLP系統(tǒng)級封裝（SIP）技術(shù)，將于2025年第四季度推出。
兩種封裝類型都將HPB安裝在SoC頂部，而存儲器則放在HPB旁邊。
HPB是一種散熱器，已用于服務(wù)器和PC的SoC。由于智能手機(jī)的體積較小，該技術(shù)目前才被引入智能手機(jī)芯片應(yīng)用中。
如今的智能手機(jī)大多使用蒸汽室來容納制冷劑，以冷卻AP和其他核心組件。HPB僅用于SoC。三星正在考慮采用2.5D或3D封裝來采用該技術(shù)。
端側(cè)人工智能（AI）的日益普及也增加了人們對AP過熱的擔(dān)憂。
兩年前，三星因Galaxy S22系列智能手機(jī)的過熱問題而受到嚴(yán)厲批評。三星試圖通過其游戲優(yōu)化服務(wù)（GOS）應(yīng)用程序來防止這種情況發(fā)生，該應(yīng)用迫使AP降低其性能以防止其過熱，但三星卻沒有告知用戶。三星通過改變AP設(shè)計并在后續(xù)型號上采用蒸汽室來改善這個問題。 
